伯恩斯坦预计，2026年三季度DRAM和NAND合约价格涨幅均收窄至约20%，PC、手机需求疲软及长期协议价格上限正压缩涨价空间。供应短缺虽延续至2027年，但存储价格上行空间已趋于有限，涨价周期或接近尾声。
存储芯片价格上涨的势头正在明显减速。伯恩斯坦最新数据显示，2026年第三季度DRAM和NAND合约价格环比涨幅均收窄至约20%，较第二季度大幅放缓，且可能低于市场最新预期。供应短缺局面虽将延续至2027年，但涨价空间正受到需求端阻力与长期协议价格上限的双重压制。
据追风交易台，据机构伯恩斯坦7月存储价格追踪报告，7月合约价格数据显示，传统DRAM第三季度环比涨幅约为17%，略高于该机构自身模型预测，但可能低于市场部分最新预期。NAND方面，若将SSD纳入计算，整体涨幅接近20%，与模型基本吻合，但同样可能不及最乐观预期。
伯恩斯坦分析师Mark Li在报告中指出，存储正逐渐成为AI及非AI应用的成本负担，部分长期协议（LTA）中设定的价格上限也在抑制进一步涨价空间。他认为，近期股价回调为短期技术性反弹提供了机会，但价格上行空间已趋于有限。
DRAM：服务器需求强劲，但PC与手机端阻力加剧
DRAM市场内部分化明显。
服务器需求依然旺盛，客户预判2027年供应将进一步趋紧，积极备货意愿强烈。据TrendForce数据，7月服务器DRAM合约价格环比上涨8%至15%，预计第三季度整体环比涨幅为13%至18%。不过，对于已签订含价格上限LTA的客户，7月价格已接近协议天花板，与非LTA客户的报价出现明显差距。
PC和手机端则呈现截然不同的态势。PC DRAM合约价格7月环比上涨13%至16%，预计第三季度环比涨约17%，但OEM厂商因内存成本上升而上调整机售价，导致PC出货量预计第三季度环比下滑逾10%，采购意愿随之大幅降低。
手机DRAM方面，TrendForce预计第三季度合约价格环比涨幅约为10%，较第二季度明显收窄，手机OEM客户削减智能手机生产计划后，对涨价的抵触情绪显著增强。展望第四季度，TrendForce预计手机DRAM涨幅将进一步收窄至个位数。
消费类DRAM表现相对突出，7月合约价格环比上涨12%至16%，预计第三季度环比涨幅达24%至30%。但TrendForce观察到现货价格已开始落后于合约价格，暗示需求可能正在见顶。
NAND：晶圆价格涨势熄火，SSD成为主要支撑
NAND市场的分化更为明显。
晶圆合约价格7月基本持平，模组厂商因消费端需求疲软而拒绝接受进一步涨价，交易量极度萎缩。TrendForce指出，在当前消费需求低迷的背景下，模组厂商认为NAND晶圆价格已偏高，更倾向于消化自有库存。
手机NAND（eMMC/UFS）表现相对较好，TrendForce预计第三季度环比涨幅约为20%，主要是追赶eSSD盈利水平的补涨逻辑驱动。值得注意的是，中国供应商在此轮涨价中要价较低，因而赢得了更多出货份额。
SSD是NAND板块的核心支撑。伯恩斯坦认为，客户端及企业级SSD合约价格第三季度环比涨幅约为20%，将NAND整体涨幅拉升至接近20%。但该机构同时指出，NAND价格涨势将持续放缓，峰值或出现在2027年某个时间点，且中国竞争加剧构成结构性压力。
短期反弹窗口存在，但上行空间趋于有限
伯恩斯坦维持对三星电子、SK海力士、美光及闪迪的"跑赢大市"评级，目标价分别为韩元44万、韩元330万、1300美元及3000美元；对KIOXIA维持"跑输大市"评级，目标价为日元4万。
该机构认为，存储供应短缺局面将延续至2027年，价格将维持高位，但进一步上涨的空间已受到明显压缩。
一方面，PC和手机客户库存稳定甚至上升，大幅削减出货计划后对涨价的接受度大幅下降；另一方面，部分LTA协议中嵌入的价格上限正在限制服务器DRAM的涨价幅度。此外，存储成本的持续攀升已开始对AI及非AI应用形成负担，需求端的承压迹象不容忽视。
伯恩斯坦指出，近期存储股的回调为短期技术性反弹提供了入场机会，但投资者需警惕涨价周期进入尾声阶段的风险——价格高位或已可见，而非遥不可及。
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